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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3147 | SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
2SK3147 | SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |  | |
2SK3147 | N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
SiliconNCannelMOSFET Features Lowon-resistance RDS=0.1typ. Highspeedswitching 4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件：1.035599 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：398.99 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
HighSpeedPowerSwitching 文件：246.54 Kbytes Page：8 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：401.25 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.01428 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
2SK3147产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3147
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
17048 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ORIGINAL |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
HITACHI |
02+ |
TO263 |
2550 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
HITACHI/日立 |
2022+ |
DPAK |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
|||
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO-252 |
10691 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
|||
VB |
2024 |
DPAK(S)T |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
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2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3484-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: NotRecommended IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PartPackage
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
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2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）50mA 漏源电压（Vdss）15V 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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