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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SK1954-Z

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SK1954-Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：379.73 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK1954

MOSFieldEffectPowerTransistor

MOSFieldEffectPowerTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)=0.65(VGS=10V,ID=2A) LowCissCiss=300pFtyp Built-inG-SGateProtectionDiode HighAvalancheCapabilityRatings

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SK1954

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SK1954

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK1954isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhigh voltageswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)=0.65ΩMAX.(VGS=10V,ID=2.0A) •LowCiss:Ciss=300pFTYP. •Built-inG-SGatePro

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK1954

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：398.68 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SK1954-Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK1954-Z

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

2SK1954-Z供应商更多...

更新时间：2024-6-22 10:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市博浩通科技有限公司
2SK1954-Z
NEC
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TO-252
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2SK1954-Z
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深圳市威尔健半导体有限公司
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NEC
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全新原装正品现货,支持订货
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