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2SK1629-E1-E

500V - 30A - MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.22 Ω typ. (at ID = 15 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • High speed switching • Low drive current • Suitable for switching regulator and DC-DC converter • Quality grade: Standard

RENESAS

瑞萨

2SK1629-E1-E

Power MOSFETs

RENESAS

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500V - 30A - MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-11-20 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAX
23+
SMD
3404
全新原装假一赔十
TO92
5600
全新原装进口自己库存优势
RENESAS/瑞萨
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TO-264S
2000000
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封装
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
MIT
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十年配单,只做原装

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