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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

High-Power Amplifier Application ● High breakdown voltage : VDSS = 180 V ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.) ● Complementary to 2SJ200

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

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High-Power Amplifier Application

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更新时间:2025-12-25 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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封装
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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