型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply)

Switching Power Supply Applications ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 Ω (typ.) ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 800 V) ● Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications

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TOSHIBA

东芝

Switching Power Supply Applications

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东芝

2SK1365(F)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK1365(F)

  • 功能描述

    MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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