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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FET,SiliconNChannelMOSType(forHighSpeed,HighCurrentSwitching,SwitchingPowerSupply) SwitchingPowerSupplyApplications ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=1.5Ω(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=4.0S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=300μA(max)(VDS=800V) ●Enhancementmode:Vth=1.5to3.5V(VDS=10V,ID=1mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   | |
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：310.04 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
SiliconNChannelMOSTypeSwitchingPowerSupplyApplications 文件：765.85 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | | |
SwitchingPowerSupplyApplications 文件：405.22 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | | |
2SK1365(F)产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK1365(F)
- 功能描述
MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2SK1485-T1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-122SK1985
2SK1985，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-10-30
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