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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SK1365

FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply)

Switching Power Supply Applications ● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 Ω (typ.) ● High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.) ● Low leakage current : IDSS = 300 μA (max) (VDS = 800 V) ● Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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东芝

2SK1365

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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2SK1365

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

2SK1365

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) Switching Power Supply Applications

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Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications

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丝印代码:k1365;Switching Power Supply Applications

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Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications

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Switching Power Supply Applications

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2SK1365产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK1365

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-5-23 21:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
26+
TO-3PF
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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TOSHIBA
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TO
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原装正品,欢迎询价

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