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2SJ690-T1B-AT

P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING

DESCRIPTION The2SJ690isaP-channelMOSFETdesignedforpowerswitch ofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=119mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−1.0A) RDS(on)2=217mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−1.0A) •Built-ingateprotec

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-6-3 19:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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