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2SJ599(0)-ZK-E1-AY

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANSISTOR 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=13

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MOSFieldEffectTransistor

MOSFieldEffectTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)2=110mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-10A) LowCiss:Ciss=1300pFTYP. Built-ingateprotectiondiode

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowi

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SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowi

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更新时间:2024-6-24 6:39:00
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