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Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA) RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA) RDS =5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK)

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-29 18:13:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI
0203+
SOT-323
6000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
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SOT-23
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RENESAS/瑞萨
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