型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ532-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ532-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ532-E

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220CFM Magazine

更新时间:2025-11-20 13:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
TO-220F
60000
全新原装现货
RENESAS/瑞萨
24+
TO220F
21574
郑重承诺只做原装进口现货
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS/瑞萨
20+
TO-220F
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS/瑞萨
2447
TO220F
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
20+
TO-220F
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
HIT
24+
TO-263
11
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
1200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
日立
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装

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