型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ532-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.042 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ532-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ532-E

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220CFM Magazine

更新时间:2025-10-4 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HIT
24+
TO-263
11
RENESAS/瑞萨
24+
TO220F
21574
郑重承诺只做原装进口现货
RENESAS
17+
TO-220F
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100%原装正品现货
RENESAS/瑞萨
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32500
现货很近!原厂很远!只做原装
RENESAS/瑞萨
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RENESAS/瑞萨
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TO-220F
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
日立
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RENESAS
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
RENESAS/瑞萨
24+
TO-220F
60000
全新原装现货

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