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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. • Super Low On-State Resistance RDS(on)1= 50 m:Max. (VGS= –10 V, ID= –10 A) RDS(on)2= 88 m:Max. (VGS= –4 V, ID= –10 A) • Low Ciss Ciss= 2360 pF Typ. • Built-in Gate Protection Dio

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MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION This product is P-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super Low On-State Resistance RDS(on)1 = 50 m: Max. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on)2 = 88 m: Max. (VGS = –4 V

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

2SJ494-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ494-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Pch -60V -20A 50m@10V IsolatedTO220 Bulk

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, P CHA

更新时间:2025-11-26 13:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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