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2SJ327

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ327 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low On-state Resistance RDS(on) = 0.13 Ω TYP. (VGS = −10 V, ID = −2.0 A) RDS(on) = 0.21 Ω TYP. (VGS = −4 V, ID = −1.6 A) • Low Cis

RENESAS

瑞萨

2SJ327

P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET

文件:976.18 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SJ327

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件:347.1 Kbytes Page:6 Pages

NEC

瑞萨

2SJ327

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive

RENESAS

瑞萨

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件:347.1 Kbytes Page:6 Pages

NEC

瑞萨

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:988.39 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SJ327产品属性

  • 类型

    描述

  • RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V:

    170

  • Downloadable:

    SPICE

  • Ciss (pF) typ.:

    750

  • Package Type:

    MP-3/TO-251

  • Vgs (off) (V) max.:

    -2

  • Nch/Pch:

    Pch

  • VGSS (V):

    20

  • Number of Channels:

    Single

  • Pch (W):

    20

  • Automotive:

    YES

  • Application:

    Low Voltage General Switching

  • VDSS (V) max.:

    -60

  • Mounting Type:

    Through Hole

  • ID (A):

    -4

  • QG (nC) typ.:

    27

  • RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V:

    340

更新时间:2026-5-24 23:36:00
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