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MOS Field Effect Power Transistors

Features ● Low on-state resistance RDS(on)=83m Ω (VGS=-10V,ID=-2A) RDS(on)=0.15 Ω (VGS=-4V,ID=-1.6A) ● Built-in G-S Gate Protection Diode

KEXIN

科信电子

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ325 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low On-state Resistance RDS(on) = 0.08 Ω TYP. (VGS = −10 V, ID = −2.0 A) RDS(on) = 0.15 Ω TYP. (VGS = −4 V, ID = −1.6 A) • Low Cis

RENESAS

瑞萨

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件:386.58 Kbytes Page:6 Pages

NEC

瑞萨

2SJ325-Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ325-Z

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Pch -30V -4A 110m@10V TO252 Bulk

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 Cut Tape

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252

更新时间:2025-12-31 23:01:02
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