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MOS Field Effect Power Transistors

Features ● Low on-state resistance RDS(on)=0.18 Ω (VGS=-10V,ID=-1A) RDS(on)=0.36 Ω (VGS=-4V,ID=-0.8A) ● Built-in G-S Gate Protection Diode

KEXIN

科信电子

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ324 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low On-state Resistance RDS(on) = 0.18 Ω TYP. (VGS = −10 V, ID = −1.0 A) RDS(on) = 0.36 Ω TYP. (VGS = −4 V, ID = −0.8 A) • Low Cis

RENESAS

瑞萨

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件:345.37 Kbytes Page:6 Pages

NEC

瑞萨

2SJ324-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ324-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Pch -30V -2A 250m@10V TO251 Bulk

更新时间:2026-1-27 19:00:02
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