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MOSFiedEffectTransistor

Features DirectlydrivenbyIcshavinga5Vpoersupply. Notnecessarytoconsiderdrivingcurrentbecauseof itshighinputimpedance. Possibletoreducethenumberofpartsbyomittingthebiasresistor.

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

P-CHANNELMOSFET FORSWITCHING The2SJ209,P-channelverticaltypeMOSFET,isaswitching devicewhichcanbedrivendirectlybytheoutputofICshavinga 5Vpowersource. The2SJ209haslowon-stateresistanceandexcellentswitching characteristics,itissuitablefordrivingactuators

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

P-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •UltraLowOn-Resistance •SmallSize APPLICATIONS •ActiveClampCircuitsinDC/DCPowerSupplies

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-ChannelMOSFET

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KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

P-CHANNELMOSFETFORSWITCHING

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
更新时间:2024-5-21 22:49:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
SOT-23
45000
热卖优势现货
RENESAS/瑞萨
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