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2SJ197-TP

P-Channel Enhancement MOSFET

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TECHPUBLIC

台舟电子

2SJ197-TP

场效应管(MOSFEET)

TECHPUBLIC

台舟电子

P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING

P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING The 2SJ197, P-channel vertical type MOS FET, is a switching device which can be driven directly by the output ICs having a 5V power source. AS the MOS FET has low on-state resistance and excellent switching characteristic, it is suitable for driving actuators such

NEC

瑞萨

MOS Fied Effect Transistor

Features ● Directly driven by Ics having a 5V poer supply. ● Has low on-state resistance RDS(on)=1.5 Ω MAX.@VGS=-4.0V,ID=-0.5A RDS(on)=1.0 Ω MAX.@VGS=-10V,ID=-0.5A

KEXIN

科信电子

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.67366 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-11-23 23:00:00
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RENESAS/瑞萨
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