2SD886晶体管资料
2SD886别名：2SD886三极管、2SD886晶体管、2SD886晶体三极管
2SD886生产厂家：日本松下公司
2SD886制作材料：Si-NPN
2SD886性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）_HI.BETA
2SD886封装形式：直插封装
2SD886极限工作电压：80V
2SD886最大电流允许值：3A
2SD886最大工作频率：<1MHZ或未知
2SD886引脚数：3
2SD886最大耗散功率：40W
2SD886放大倍数：β>500
2SD886图片代号：B-10
2SD886vtest：80
2SD886htest：999900
- 2SD886atest：3
2SD886wtest：40
2SD886代换 2SD886用什么型号代替：BD265A,BD647,BD699,2SD887,2SD888,2SD1157,2SD1943,2SC1983,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SD886 | TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | JIANGSU 长电科技 |   | |
2SD886 | Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | TEL | | |
2SD886 | 2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors, 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors 2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free | WEITRON | | |
2SD886 | Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Features Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. Applications Power amplifier and switching applications. | FOSHAN 蓝箭电子 | | |
2SD886 | 丝印代码：D886；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Voltage High Current | DGNJDZ 南晶电子 | | |
2SD886 | TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | WINNERJOIN 永而佳 | | |
2SD886 | Medium Power Transistor | SECOS 喜可士 | | |
2SD886 | TO-126双极型晶体管 | HighDiode | | |
2SD886 | 普通三极管 | FOSAN 富信半导体 | | |
TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | JIANGSU 长电科技 | | ||
丝印代码：D886；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Voltage High Current | DGNJDZ 南晶电子 | |
2SD886产品属性
- 类型
描述
- PCM(W)：
1
- IC(A)：
3
- VCBO(V)：
50
- VCEO(V)：
50
- VEBO(V)：
5
- hFEMin：
100
- hFEMax：
400
- hFE@VCE(V)：
2
- hFE@IC(A)：
1
- VCE(sat)(V)：
0.5
- VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
- VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
- Package：
TO-126
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长晶 |
2026+ |
TO126 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
PANASONIC/松下 |
25+ |
TO-126 |
45000 |
PANASONIC/松下全新现货2SD886即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
CJ/长电 |
25+ |
TO-126 |
20000 |
原装 |
|||
TO126 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
CJ/长电 |
21+ |
TO-126 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
|||
长电 |
25+23+ |
TO-126 |
23645 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
长电 |
22+ |
TO-126 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
|||
长电/长晶 |
25+ |
TO-126 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
CJ |
26+ |
QFN |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
CJ/长电 |
24+ |
TO-126 |
50000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
2SD886规格书下载地址
2SD886参数引脚图相关
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2SD886数据表相关新闻
2SJ652-1E 绝缘栅场效应管(MOSFET)
2SJ652-1E 原装正品 现货供应
2024-3-232SD669AL-TO92NLB-C-TG_UTC代理商
2SD669AL-TO92NLB-C-TG_UTC代理商
2023-2-172SD882SL-TO92B-P-TG_UTC代理商
2SD882SL-TO92B-P-TG_UTC代理商
2023-2-82SD669AL-TO126T-D-TG_UTC代理商
2SD669AL-TO126T-D-TG_UTC代理商
2023-2-22SK1485-T1
2SK1485-T1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-122SK1985
2SK1985，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-30
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