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2SD258晶体管资料

2SD258别名：2SD258三极管、2SD258晶体管、2SD258晶体三极管
2SD258生产厂家：日本三肯公司
2SD258制作材料：Si-NPN
2SD258性质：低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
2SD258封装形式：直插封装
2SD258极限工作电压：110V
2SD258最大电流允许值：4A
2SD258最大工作频率：<1MHZ或未知
2SD258引脚数：2
2SD258最大耗散功率：25W
2SD258放大倍数：
2SD258图片代号：E-8
2SD258vtest：110
2SD258htest：999900
2SD258atest：4
2SD258wtest：25

2SD258代换 2SD258用什么型号代替：BD241C,BD243C,BD539D,BD581,BD591,BD955,BDY79,3DK205C,

型号	功能描述	生产厂家&企业
2SD258	NPNTransistor 文件：43.46 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
2SD2580	ColorTVHorizontalDeflectionOutputApplications ColorTVHorizontalDeflectionOutputApplications Features ·Highspeed. ·Highbreakdownvoltage(VCBO=1500V). ·Highreliability(AdoptionofHVPprocess). ·AdoptionofMBITprocess. ·On-chipdamperdiode.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SD2580	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Highspeed ·Highbreakdownvoltage ·Highreliability ·Built-indamperdiode APPLICATIONS ·ColorTVhorizontaldeflectionoutput	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD2580	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PMLpackage ·Highspeed ·Highbreakdownvoltage ·Highreliability ·Built-indamperdiode APPLICATIONS ·ColorTVhorizontaldeflectionoutput	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD2581	ColorTVHorizontalDeflectionOutputApplications Features ·Highspeed. ·Highbreakdownvoltage(VCBO=1500V). ·Highreliability(AdoptionofHVPprocess). ·AdoptionofMBITprocess.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SD2581	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighBreakdownVoltage- :VCBO=1500V(Min) •HighSwitchingSpeed •HighReliability APPLICATIONS •ColorTVhorizontaldeflectionoutputapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD2582	SILICONTRANSISTOR AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHING NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORS FEATURES ·LowVCE(sat) VCE(sat)=0.15VMax(@lC/lB=0.5A/25mA) ·HighDCCurrentGain hFE=150to600(@VCE=2.0V,lC=0.5A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SD2582	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHINGNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORS FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=0.15VMax(@lC/lB=0.5A/25mA) •HighDCCurrentGain hFE=150to600(@VCE=2.0V,lC=0.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SD2583	AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHINGNOPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORS FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=0.15VMax(@lC/lB=1.0A/50mA) •HighDCCurrentGain hEF=150to600(@VCE=2.0V,lC=1.0A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SD2583	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SD2583	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighCollectorCurrent-IC=5A •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.15V(Max)@IC=1A,IB=50mA •HighDCCurrentGain- :hFE=150~600@IC=1A APPLICATIONS •Designedforaudiofrequencyamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD2583	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,highDCcurrentgain. Applications Audiofrequencyamplifierandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SD2583	NPNSiliconEpitaxialPowerTransistor FEATURES •LowVCE(sat) VCE(sat)=0.15VMax(@lC/lB=1.0A/50mA) •HighDCCurrentGain hEF=150to600(@VCE=2.0V,lC=1.0A)	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
2SD2583	SILICONTRANSISTOR AUDIOFREQUENCYAMPLIFIER,SWITCHING NOPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORS FEATURES ·LowVCE(sat) VCE(sat)=0.15VMax(@lC/lB=1.0A/50mA) ·HighDCCurrentGain hEF=150to600(@VCE=2.0V,lC=1.0A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SD2583	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors Features LowVce HighDCCurrentGain	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SD2583	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SD2583	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat) ●HighDCCurrentGain	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SD2583-TU	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors Features LowVce HighDCCurrentGain	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SD2584	NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(HIGHPOWERSWITCHING,HAMMERDRIVE,PULSEMOTORDRIVEAPPLICATIONS) HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS HAMMERDRIVE,PULSEMOTORDRIVEAPPLICATIONS •HighDCCurrentGain :hFE=2000(Min.)(VCE=3V,IC=3A) •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V(Max.)(IC=3A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SD2586	NPNTRIPLEDIFFUSEDMESATYPE(HORIZONTALDEFLECTIONOUTPUTFORCOLORTV) 2SD2586,D2586 HorizontalDeflectionOutputForColorTV. 1.HighVoltage:Vcbo=1500V 2.LowSaturationVoltage=Vce(sat)=5V(Max.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SD2586	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(H)ISpackage ·Highvoltage,highspeed ·Lowsaturationvoltage ·Bult-indampertype APPLICATIONS ·HorizontaldeflectionoutputforcolorTV	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD2586	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3P(H)ISpackage ·Highvoltage,highspeed ·Lowsaturationvoltage ·Bult-indampertype APPLICATIONS ·HorizontaldeflectionoutputforcolorTV	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SD2589	SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(Audio,SeriesRegulatorandGeneralPurpose) SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(Complementtotype2SB1659) Application:Audio,SeriesRegulatorandGeneralPurpose	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦
2SD2580	SiliconNPNPowerTransistors 文件：171.75 Kbytes Page：4 Pages	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD2586	SiliconNPNPowerTransistors 文件：292.93 Kbytes Page：4 Pages	SAVANTIC Savantic, Inc.
2SD2589	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor 文件：265.63 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SD258产品属性

类型
描述
型号
2SD258
制造商
ON Semiconductor

2SD258供应商更多...

更新时间：2024-5-8 20:53:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威雅利发展有限公司	2SD2584(Q)	TOSHIBA	11+	TO-251	2400	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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