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2SD2582

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

FEATURES • Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V Max (@lC/lB = 0.5 A/25 mA) • High DC Current Gain hFE = 150 to 600 (@VCE = 2.0 V, lC = 0.5 A)

NEC

瑞萨

2SD2582

SILICON TRANSISTOR

AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER, SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS FEATURES · Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V Max (@lC/lB = 0.5 A/25 mA) · High DC Current Gain hFE = 150 to 600 (@VCE = 2.0 V, lC = 0.5 A)

RENESAS

瑞萨

2SD2582

Transistor-Bipolar Small Signal Transistors

RENESAS

瑞萨

2SD2582产品属性

  • 类型

    描述

  • Production Status:

    EOL

更新时间:2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ/长晶
2026+
TO126
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
ISC
20+
TO-126
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TO-126
20000
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CJ/长电
21+
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30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
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