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2SD2150晶体管资料

  • 2SD2150别名：2SD2150三极管、2SD2150晶体管、2SD2150晶体三极管

  • 2SD2150生产厂家：TOY

  • 2SD2150制作材料：Si-NPN

  • 2SD2150性质：表面帖装型 （SMD）

  • 2SD2150封装形式：直插封装

  • 2SD2150极限工作电压：40V

  • 2SD2150最大电流允许值：3A

  • 2SD2150最大工作频率：290MHZ

  • 2SD2150引脚数：3

  • 2SD2150最大耗散功率：0.75W

  • 2SD2150放大倍数：

  • 2SD2150图片代号：H-100

  • 2SD2150vtest：40

  • 2SD2150htest：290000000

  • 2SD2150atest：3

  • 2SD2150wtest：.75

  • 2SD2150代换 2SD2150用什么型号代替：2SC2873,2SD1119,2SD1624,2SD1952,2SD2185,

2SD2150价格

参考价格：￥0.7740

型号：2SD2150T100R 品牌：ROHM 备注：这里有2SD2150多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2150批发/采购报价，2SD2150行情走势销售排行榜，2SD2150报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2150

TRANSISTORNPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SD2150

NPNEpitaxialPlanarTransistors

NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
2SD2150

NPNPlastic-EncapsulateTransistor

FEATURES •ExcellentCurrent-to-GainCharacteristics •LowCollectorSaturationVoltage, •VCE(SAT)=0.5V(Max.)forIC/IB=2A/0.1A

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2150

LowFrequencyTransistor

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD2150

SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentcurrentgaincharacteristic,Complementaryto2SB1424. Applications Generalpurposeamplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2150

NPNTransistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2150

NPNGeneralusetransistor

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SD2150

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Excellentcurrent-to-gaincharacteristics LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) VCE(sat)=0.5V(max)forIC/IB=2A/0.1A

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

HOTTECH
2SD2150

LOWFREQUENCYTRANSISTER

FEATURES ●LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=2A/0.1A). ●Excellentcurrentgaincharacteristics. ●Complementsthe2SB1424.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SD2150

LOWFREQUENCYTRANSISTER(20V,3A)

FEATURES LowVCE(sat):VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A). Excellentcurrentgaincharacteristics. Complementsthe2SB1424.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ
2SD2150

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2150

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

文件：167.26 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2150-R

NPNTransistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SD2150-R

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Excellentcurrent-to-gaincharacteristics •LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrati

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SD2150-S

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Excellentcurrent-to-gaincharacteristics •LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrati

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SD2150-S

NPNTransistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SD2150-SOT89

NPNTransistors

■Features ●Excellentcurrent-to-gaincharacteristics ●LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat) ●Complementaryto2SB1412

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE
2SD2150-SOT-89

TRANSISTORNPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
2SD2150T100R

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2150T100S

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) （IC/IB=2A/0.1A） 2)Excellentcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SB1424.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2150_09

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2150_09

LowFrequencyTransistor(20V,3A)

文件：167.26 Kbytes Page：3 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2150_15

NPNTransistors

文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD2150_15

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SD2150-R

NPNTransistors

文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD2150-S

NPNTransistors

文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SD2150SQ

NPNTransistor

文件：498.08 Kbytes Page：3 Pages

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

PJSEMI
2SD2150-S-TP

封装/外壳：TO-243AA 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 20V 3A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体公司

MCC
2SD2150T100R

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 20V 3A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2150产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2150

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SD2150供应商更多...

更新时间：2024-4-24 13:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
北京天阳诚业科贸有限公司
2SD2150
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双极晶体管
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ROHM/罗姆
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NA/
3959
原装现货,当天可交货,原型号开票
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