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2SD2150晶体管资料

  • 2SD2150别名：2SD2150三极管、2SD2150晶体管、2SD2150晶体三极管

  • 2SD2150生产厂家：TOY

  • 2SD2150制作材料：Si-NPN

  • 2SD2150性质：表面帖装型 （SMD）

  • 2SD2150封装形式：直插封装

  • 2SD2150极限工作电压：40V

  • 2SD2150最大电流允许值：3A

  • 2SD2150最大工作频率：290MHZ

  • 2SD2150引脚数：3

  • 2SD2150最大耗散功率：0.75W

  • 2SD2150放大倍数：

  • 2SD2150图片代号：H-100

  • 2SD2150vtest：40

  • 2SD2150htest：290000000

  • 2SD2150atest：3

  • 2SD2150wtest：0.75

  • 2SD2150代换 2SD2150用什么型号代替：2SC2873,2SD1119,2SD1624,2SD1952,2SD2185,

2SD2150价格

参考价格：￥0.7740

型号：2SD2150T100R 品牌：ROHM 备注：这里有2SD2150多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SD2150批发/采购报价，2SD2150行情走势销售排行榜，2SD2150报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2150

丝印代码：CFR；Low Frequency Transistor(20V, 3A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V(Typ.) （ IC / IB = 2A / 0.1A） 2) Excellent current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1424.

ROHM

罗姆

2SD2150

NPN Epitaxial Planar Transistors

NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free

WEITRON

2SD2150

Low Frequency Transistor

■ Features ● Excellent current-to-gain characteristics ● Low collector saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB1412

KEXIN

科信电子

2SD2150

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

FEATURES • Excellent Current-to-Gain Characteristics • Low Collector Saturation Voltage, • VCE(SAT)=0.5V(Max.) for IC / IB=2A/0.1A

SECOS

喜可士

2SD2150

Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package

Descriptions Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. Features Low VCE(sat),excellent current gain characteristic, Complementary to 2SB1424. Applications General purpose amplifier.

FOSHAN

蓝箭电子

2SD2150

丝印代码：CFR；Low Frequency Transistor (20V, 3A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V(Typ.) （ IC / IB = 2A / 0.1A） 2) Excellent current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1424.

ROHM

罗姆

2SD2150

NPN Transistors

■ Features ● Excellent current-to-gain characteristics ● Low collector saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB1412

YFWDIODE

佑风微

2SD2150

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V(Typ.) （ IC / IB = 2A / 0.1A） 2) Excellent current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1424.

ROHM

罗姆

2SD2150

NPN General use transistor

FEATURES Power dissipation PCM : 0.5 W Tamb=25°C Collector current ICM : 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55°C to +150°C

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

2SD2150

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Excellent current-to-gain characteristics Low collector saturation voltage VCE(sat) VCE(sat)=0.5V(max) for IC/IB=2A/0.1A

HOTTECH

合科泰

2SD2150

LOW FREQUENCY TRANSISTER

FEATURES ● Low VCE(sat) :VCE(sat) =0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A). ● Excellent current gain characteristics. ● Complements the 2SB1424.

BILIN

银河微电

2SD2150

丝印代码：CFR；LOW FREQUENCY TRANSISTER (20V,3A)

FEATURES Low VCE(sat) :VCE(sat) =0.2V(Typ.) (IC/IB=2A/0.1A). Excellent current gain characteristics. Complements the 2SB1424.

DGNJDZ

南晶电子

2SD2150

20V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

GALAXY

银河微电

2SD2150

晶体三极管

TWTLsemi

2SD2150

晶体管

JSCJ

长晶科技

2SD2150

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

喜可士

2SD2150

丝印代码：CFR；Low Frequency Transistor (20V, 3A)

文件：167.26 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SD2150-R

丝印代码：CFR*；NPN Transistors

■ Features ● Excellent current-to-gain characteristics ● Low collector saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB1412

YFWDIODE

佑风微

2SD2150-R

NPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Excellent current-to-gain characteristics • Low collector saturation voltage VCE(sat) • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rati

MCC

2SD2150-S

NPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Excellent current-to-gain characteristics • Low collector saturation voltage VCE(sat) • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rati

MCC

2SD2150-S

丝印代码：CFS*；NPN Transistors

■ Features ● Excellent current-to-gain characteristics ● Low collector saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB1412

YFWDIODE

佑风微

2SD2150-SOT89

NPN Transistors

■ Features ● Excellent current-to-gain characteristics ● Low collector saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB1412

YFWDIODE

佑风微

2SD2150-SOT-89

TRANSISTOR NPN)

TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 0.5 W Tamb=25°C Collector current ICM : 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55°C to +150°C

JIANGSU

长电科技

2SD2150T100R

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V(Typ.) （ IC / IB = 2A / 0.1A） 2) Excellent current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1424.

ROHM

罗姆

2SD2150T100S

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V(Typ.) （ IC / IB = 2A / 0.1A） 2) Excellent current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1424.

ROHM

罗姆

2SD2150_09

Low Frequency Transistor (20V, 3A)

文件：167.26 Kbytes Page：3 Pages

ROHM

罗姆

2SD2150_09

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

喜可士

2SD2150_15

NPN Transistors

文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SD2150_15

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages

SECOS

喜可士

2SD2150-R

NPN Transistors

文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SD2150-S

NPN Transistors

文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages

KEXIN

科信电子

2SD2150SQ

丝印代码：CFRN；NPN Transistor

文件：498.08 Kbytes Page：3 Pages

PJSEMI

平晶半导体

2SD2150-S-TP

封装/外壳：TO-243AA 包装：带盒（TB） 描述：TRANS NPN 20V 3A SOT89 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SD2150T100R

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 20V 3A MPT3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHM

罗姆

2SD2150产品属性

  • 类型

    描述

  • Status：

    新设计非推荐

  • 封装：

    MPT3

  • 包装数量：

    1000

  • 最小独立包装数量：

    1000

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Standard

  • Package Code：

    SOT-89

  • JEITA Package：

    SC-62

  • Package Size[mm]：

    4.5x4.0 (t=1.5)

  • Number of terminal：

    3

  • Polarity：

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]：

    0.5

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：

    20.0

  • Collector current Io(Ic) [A]：

    3.0

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

2SD2150供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
2SD2150
ROHM
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深圳市豪迈兴电子有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
2SD2150
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SOT89-3L
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深圳市凯睿晟科技有限公司
2SD2150
CJ/长电
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深圳市胜彬电子有限公司
2SD2150
ROHM/罗姆
22+
SOT89
8000
原装正品支持实单
询价

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