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2SD2144晶体管资料

  • 2SD2144(S)别名：2SD2144(S)三极管、2SD2144(S)晶体管、2SD2144(S)晶体三极管

  • 2SD2144(S)生产厂家：TOY

  • 2SD2144(S)制作材料：Si-NPN

  • 2SD2144(S)性质：LO_SAT_HI_BETA

  • 2SD2144(S)封装形式：直插封装

  • 2SD2144(S)极限工作电压：25V

  • 2SD2144(S)最大电流允许值：0.5A

  • 2SD2144(S)最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 2SD2144(S)引脚数：3

  • 2SD2144(S)最大耗散功率：0.3W

  • 2SD2144(S)放大倍数：β>560

  • 2SD2144(S)图片代号：A-57

  • 2SD2144(S)vtest：25

  • 2SD2144(S)htest：999900

  • 2SD2144(S)atest：.5

  • 2SD2144(S)wtest：.3

  • 2SD2144(S)代换 2SD2144(S)用什么型号代替：2SC3327,2SC3792,2SD1020,2SD1504,2SD2132,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SD2144

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)2SD2114K/2SD2144S

文件：132.1 Kbytes Page：4 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
2SD2144S

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA) Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144S

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144STPU

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain.hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage.VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.18V(Typ.)(IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144SU

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144SV

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144SW

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

Features 1)HighDCcurrentgain. hFE=1200(Typ.) 2)Highemitter-basevoltage. VEBO=12V(Min.) 3)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.18V(Typ.) (IC/IB=500mA/20mA)

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144S

High-currentGainMediumPowerTransistor(20V,0.5A)

文件：99.44 Kbytes Page：5 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144STPV

封装/外壳：SC-72 成形引线 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：TRANS NPN 20V 0.5A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
2SD2144STPW

封装/外壳：SC-72 成形引线 包装：散装 描述：TRANS NPN 20V 0.5A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

2SD2144产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2144

  • 制造商

    ROHM

  • 制造商全称

    Rohm

  • 功能描述

    High-current Gain MediumPower Transistor(20V, 0.5A)

2SD2144供应商更多...

更新时间：2024-5-24 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
2SD2144
罗姆
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深圳市创新迹电子有限公司
2SD2144-S
ROHM/罗姆
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