型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2144STPV

封装/外壳:SC-72 成形引线 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 2SD2114K / 2SD2144S

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

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ROHM

罗姆

2SD2144STPV产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2144STPV

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 20V 0.5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
24+
NA/
5000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ROHM
2016+
SOT89
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
22+
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ROHM
25+
SOT89
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电
ROHM/罗姆
23+
TO-92S
500000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
SOT-89
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
ROHM
TO-92S
8553
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
CJ/长电
21+
SOT-89
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
CJ/长电
25+
SOT89
15000
全新原装现货,价格优势
RohmSemiconductor
24+
SC-72-3SPT
7500

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