型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2144STPV

封装/外壳:SC-72 成形引线 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A) 2SD2114K / 2SD2144S

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE= 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO=12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat)= 0.18V (Typ.) (IC/ IB= 500mA / 20mA) Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) 3) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

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ROHM

罗姆

2SD2144STPV产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2144STPV

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 20V 0.5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-4 17:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ/长电
21+
SOT-89
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
SOT-89
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
RohmSemiconductor
24+
SC-72-3SPT
7500
ROHM
24+
TO-92
663300
郑重承诺只做原装进口现货
ROHM
17+
SOT89
6200
100%原装正品现货
ROHM/罗姆
2447
SOT-252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ROHM
1922+
SOT-89
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
RHOM
24+
SOT89
4231
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
蓝箭
25+
SOT-89
9300
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
NEC
CAN
1696
专营CAN铁帽仔

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