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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2144STPW

封装/外壳:SC-72 成形引线 包装:散装 描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)

文件:99.44 Kbytes Page:5 Pages

ROHM

罗姆

2SD2144STPW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2144STPW

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN 20V 0.5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-17 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
2016+
SOT89
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ROHM/罗姆
22+
SOT89
8000
原装正品支持实单
ROHM
24+
3100
2SD2150
25+
1990
1990
ROHM
17+
SOT89
6200
100%原装正品现货
CJ/长电
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
ROHM/罗姆
2447
SOT-252
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ROHM
最新
SOT-89
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
CJ/长电
14+
SOT-89
200
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RHOM
24+
SOT89
4231
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!

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