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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). | HTSEMI 金誉半导体 |   | ||
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat). | JIANGSU 长电科技 | | ||
NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURE • High DC Current Gain. • High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.) | SECOS 喜可士 | | ||
NPN Plastic-Encapsulate Transistor 文件：256.7 Kbytes Page：3 Pages | SECOS 喜可士 | | ||
High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) | ROHM 罗姆 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
NA |
880000 |
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Bychip/百域芯 |
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SOT-23 |
30000 |
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SOT-23 |
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振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM/罗姆 |
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SOT-23 |
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ROHM |
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新进库存/原装 |
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CJ |
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SOT23 |
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