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TRANSISTOR (NPN)

FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat).

HTSEMI

金誉半导体

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (NPN) FEATURES • High DC current gain. • High emitter-base voltage. • Low VCE (sat).

JIANGSU

长电科技

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURE • High DC Current Gain. • High Emitter-Base Voltage. VEBO=12V (Min.)

SECOS

喜可士

NPN Plastic-Encapsulate Transistor

文件:256.7 Kbytes Page:3 Pages

SECOS

喜可士

High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)

Features 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). VCE (sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA)

ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-27 23:01:01
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