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位置：首页 > IC中文资料第1179页 > 2SD2012

2SD2012晶体管资料

  • 2SD2012别名：2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管

  • 2SD2012生产厂家：日本东芝公司

  • 2SD2012制作材料：Si-NPN

  • 2SD2012性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 2SD2012封装形式：直插封装

  • 2SD2012极限工作电压：60V

  • 2SD2012最大电流允许值：3A

  • 2SD2012最大工作频率：3MHZ

  • 2SD2012引脚数：3

  • 2SD2012最大耗散功率：25W

  • 2SD2012放大倍数：β=100-320

  • 2SD2012图片代号：B-45

  • 2SD2012vtest：60

  • 2SD2012htest：3000000

  • 2SD2012atest：3

  • 2SD2012wtest：25

  • 2SD2012代换 2SD2012用什么型号代替：BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SD2012

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Audio Frequency Power Amplifier Applications • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (typ.) (IC= 2A / IB= 0.2A) • High power dissipation: PC= 25 W (Tc = 25°C)

TOSHIBA

东芝

2SD2012

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications. ■ HIGH DC CURRENT GAIN ■ LOW SATURATION VOLTAGE ■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING APPLICATIONS ■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS ■ G

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1366 ·Low collector saturation voltage ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications

SAVANTIC

2SD2012

NPN Silicon Power Transistors

Features · High DC Current Gain: hFE(1)=100 (Min.) · Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.0V (Max.) · High Power Dissipation: PC=25W (TC=25OC) · Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) · Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating ·

MCC

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1366 ·Low collector saturation voltage ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications

ISC

无锡固电

2SD2012

Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. Features Low VCE(sat),High total power dissipation, complementary pair with 2SB1375. Applications Audio frequency power amplifier applications.

FOSHAN

蓝箭电子

2SD2012

TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES High DC Current Gain Low Saturation Voltage High Power Dissipation

DGNJDZ

南晶电子

2SD2012

TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Audio frequency power amplifier applications ● High DC current gain ● Low saturation voltage ● High power dissipation

JIANGSU

长电科技

2SD2012

Silicon NPN Power Transistors

文件：205.36 Kbytes Page：3 Pages

SAVANTIC

2SD2012

双极晶体管

FOSHAN

蓝箭电子

2SD2012

普通三极管

FOSAN

富信半导体

2SD2012

中等功率双极型晶体管

MCC

2SD2012

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：TRANS NPN 60V 3A TO220F 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2SD2012

Audio Frequency Power Amplifier Applications

文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2012

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2SD2012

Silicon NPN Triple Diffused Type

文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2012FM

Audio Frequency Power Amplifier Applications

Audio Frequency Power Amplifier Applications • Low saturation voltage: VCE (sat)= 0.4 V (typ.) (IC= 2A / IB= 0.2A) • High power dissipation: PC= 25 W (Tc = 25°C)

TOSHIBA

东芝

2SD2012_03

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

2SD2012_06

Silicon NPN Triple Diffused Type

文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2012_09

Audio Frequency Power Amplifier Applications

文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2012-BP

封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 60V 3A TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

MCC

2SD2012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2012

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SD2012供应商更多...

更新时间：2025-11-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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