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2SD2012中文资料
2SD2012数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
·With TO-220F package
·Complement to type 2SB1366
·Low collector saturation voltage
·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃)
APPLICATIONS
·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications
2SD2012产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD2012
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2021+ |
TO-220 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
TOSHIBA |
2024 |
TO220F |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
|||
TOSHIBA |
25+ |
TO-220 |
6500 |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
TO-220 |
9526 |
||||
24+ |
TO-220F |
10000 |
全新 |
||||
TOS |
17+ |
TO-220F |
6200 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO-220F |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
TOS |
24+ |
原厂封装 |
5500 |
原装现货假一罚十 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
TO220 |
8890 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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2SD2012 芯片相关型号
2SD2012 晶体管资料
2SD2012别名：2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管
2SD2012生产厂家：日本东芝公司
2SD2012制作材料：Si-NPN
2SD2012性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
2SD2012封装形式：直插封装
2SD2012极限工作电压：60V
2SD2012最大电流允许值：3A
2SD2012最大工作频率：3MHZ
2SD2012引脚数：3
2SD2012最大耗散功率：25W
2SD2012放大倍数：β=100-320
2SD2012图片代号：B-45
2SD2012vtest：60
2SD2012htest：3000000
- 2SD2012atest：3
2SD2012wtest：25
2SD2012代换 2SD2012用什么型号代替：BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26402条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
