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2SD2012-BP

封装/外壳:TO-220-3 包装:卷带(TR) 描述:TRANS NPN 60V 3A TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

MCC

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1366 ·Low collector saturation voltage ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications

SAVANTIC

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications. ■ HIGH DC CURRENT GAIN ■ LOW SATURATION VOLTAGE ■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING APPLICATIONS ■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS ■ G

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Silicon NPN Triple Diffused Type

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TOSHIBA

东芝

Audio Frequency Power Amplifier Applications

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-25 23:01:00
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