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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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2SD2012-BP | 封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS NPN 60V 3A TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | MCC |   | |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications. ■ HIGH DC CURRENT GAIN ■ LOW SATURATION VOLTAGE ■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING APPLICATIONS ■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS ■ G | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1366 ·Low collector saturation voltage ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications | SAVANTIC | | ||
Audio Frequency Power Amplifier Applications 文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Silicon NPN Triple Diffused Type 文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAK |
24+ |
NA/ |
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SANKEN |
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