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2SD2012中文资料

厂家型号

2SD2012

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127.21Kbytes

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5

功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

数据手册

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生产厂商

STMicroelectronics

简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

LOGO

2SD2012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2012

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Silcon Pwr Trans

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-27 13:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ
22+
TO-220
172
长源创新-只做原装---假一赔十
TOSHIBA/东芝
2021+
TO-220
9000
原装现货,随时欢迎询价
TOSHIBA
23+
TO-220
9526
TO-220F
10000
全新
TOS
17+
TO-220F
6200
TOSHIBA
23+
TO-220F
5000
原装正品,假一罚十
TOS
16+
原厂封装
5500
原装现货假一罚十
TOSHIBA
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2022+
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5000
全现原装公司现货

2SD2012 晶体管资料

  • 2SD2012别名:2SD2012三极管、2SD2012晶体管、2SD2012晶体三极管

  • 2SD2012生产厂家:日本东芝公司

  • 2SD2012制作材料:Si-NPN

  • 2SD2012性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 2SD2012封装形式:直插封装

  • 2SD2012极限工作电压:60V

  • 2SD2012最大电流允许值:3A

  • 2SD2012最大工作频率:3MHZ

  • 2SD2012引脚数:3

  • 2SD2012最大耗散功率:25W

  • 2SD2012放大倍数:β=100-320

  • 2SD2012图片代号:B-45

  • 2SD2012vtest:60

  • 2SD2012htest:3000000

  • 2SD2012atest:3

  • 2SD2012wtest:25

  • 2SD2012代换 2SD2012用什么型号代替:BD935F,2SC3746,2SD1266,2SD1406,2SD1585,2SD1913,2SD2061,

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STMicroelectronics 意法半导体(ST)集团

中文资料: 148302条

意法半导体(ST)公司成立于1987年,是意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,从成立之初至今,ST的增长速度超过了半导体工业的整体增长速度。自1999年起,ST始终是世界十大半导体公司之一。 整个集团共有员工近50,000名,拥有16个先进的研发机构、39个设计和应用中心、15主要制造厂,并在36个国家设有78个销售办事处。 公司总部设在瑞士日内瓦,同时也是欧洲区以及新兴市场的总部;公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;亚太区总部设在新加坡;日本的业务则以东京为总部;大中国区总部设在上海,负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。 自1994年12月8日首次完成公开发行股