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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications. ■ HIGH DC CURRENT GAIN ■ LOW SATURATION VOLTAGE ■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING APPLICATIONS ■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS ■ G | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1366 ·Low collector saturation voltage ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications | SAVANTIC | | ||
Audio Frequency Power Amplifier Applications 文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Silicon NPN Triple Diffused Type 文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
2SD2012(F,M)产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD2012(F,M)
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO220F |
9800 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
TOSHIBA |
26+ |
TO-220 |
9526 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-220F |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2540+ |
TO-220F |
8595 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TOSHIBA |
25+ |
300 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
TOSHIBA |
0910+ |
TO220F |
2763 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220F |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
TOS |
17+ |
TO-220F |
6200 |
||||
24+ |
TO-220F |
10000 |
全新 |
||||
Toshiba |
25+ |
10000 |
原厂原装,价格优势 |
2SD2012(F,M)芯片相关品牌
2SD2012(F,M)规格书下载地址
2SD2012(F,M)参数引脚图相关
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