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NPN SILICON POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SD2012 is a silicon NPN power transistor housed in TO-220F insulated package. It is inteded for power linear and switching applications. ■ HIGH DC CURRENT GAIN ■ LOW SATURATION VOLTAGE ■ INSULATED PACKAGE FOR EASY MOUNTING APPLICATIONS ■ GENERAL PURPOSE POWER AMPLIFIERS ■ G

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1366 ·Low collector saturation voltage ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier and general purpose switching applications

SAVANTIC

Audio Frequency Power Amplifier Applications

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TOSHIBA

东芝

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Silicon NPN Triple Diffused Type

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TOSHIBA

东芝

2SD2012(F)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD2012(F)

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS

更新时间:2025-11-20 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
25607
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
TOS
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小功率三极管
20000
全新原装假一赔十
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
TOSHIBA(东芝)
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TOS
23+
TO-220F
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TOSHIBA/东芝
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TO220F
9800
全新原装现货,假一赔十
TOSHIBA/东芝
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TO-220F
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