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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain. This is suitable for all kind of driving or muting. FEATURES ● High DC Current Gain and Good hFE linearity. hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A) ● Low Collector Saturation Voltage.

RENESAS

瑞萨

2SD1950-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1950-T1

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    NPN TRANSISTOR

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    NPN PWR Transistor,25V,2A,P-MINIMOLD3

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold

更新时间:2025-12-31 13:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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SOT89
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RENESAS
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SOT-89
50000
全新原装正品现货,支持订货
NEC
24+
SOT-89
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新进库存/原装
RENESAS
26+
SOT-89
360000
进口原装现货

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