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2SD1950-T1-AZ

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain. This is suitable for all kind of driving or muting. FEATURES ● High DC Current Gain and Good hFE linearity. hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A) ● Low Collector Saturation Voltage.

RENESAS

瑞萨

2SD1950-T1-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1950-T1-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    NPN TRANSISTOR

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    NPN PWR Transistor,25V,2A,P-MINIMOLD3

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold

更新时间:2025-9-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
39000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TO92L
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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