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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain. This is suitable for all kind of driving or muting. FEATURES ● High DC Current Gain and Good hFE linearity. hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A) ● Low Collector Saturation Voltage.

RENESAS

瑞萨

2SD1950-T1-AZ(VM)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1950-T1-AZ(VM)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    NPN

更新时间:2025-11-21 11:20:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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