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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The 2SD1950 is designed for general-purpose applications requiring High DC Current Gain. This is suitable for all kind of driving or muting. FEATURES ● High DC Current Gain and Good hFE linearity. hFE = 800 to 3 200 (VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A) ● Low Collector Saturation Voltage.

RENESAS

瑞萨

2SD1950-T1-AZ(VM)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD1950-T1-AZ(VM)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    NPN

更新时间:2025-10-4 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
39000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
22+
TO92L
100000
代理渠道/只做原装/可含税
SOT-89
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
SipuSemi
25+23+
SOT-89
31393
绝对原装正品全新进口深圳现货
RENESAS/瑞萨
24+
SOT89
485
只做原厂渠道 可追溯货源
NEC
24+
SOT-89
6200
新进库存/原装
RENESAS/瑞萨
2402+
SOT89
8324
原装正品!实单价优!
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
Renesas(瑞萨)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
RENESAS
24+
SOT-89
16900
原装正品现货支持实单

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