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2SCR586JGTLL

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罗姆罗姆半导体集团

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DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=80V(Min) ·HighDCCurrentGain- :hFE=120-390@IC=0.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitching applicatio

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更新时间:2024-6-1 20:00:00
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