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2SCR586JFRG

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 80V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 120-390@IC= 0.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general-purpose amplifier and switching applicatio

ISC

无锡固电

2SCR586JFRG

NPN 5.0A 80V Power Transistor

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ROHM

罗姆

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 80V 5A LPTL 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ROHM

罗姆

isc Silicon NPN Power Transistor

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ISC

无锡固电

NPN 5.0A 80V Middle Power Transistor

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ROHM

罗姆

更新时间:2026-1-2 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM(罗姆)
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ROHM/罗姆
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ROHM(罗姆)
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SOT-89
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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只做原装鄙视假货15118075546
Rohm Semiconductor
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TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片
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ROHM Semiconductor
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