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2SCR586JFRG中文资料
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DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO = 80V(Min)
·High DC Current Gain-
: hFE= 120-390@IC= 0.5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general-purpose amplifier and switching
applications.
更新时间：2026-2-1 11:06:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ROHM/罗姆 |
2511 |
TO-263AB |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ROHM |
21+ |
LPTL |
95 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
ROHM(罗姆) |
23+ |
SOT-89 |
100 |
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT) |
|||
ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-23 |
20000 |
只做原装 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
SOT-23 |
1031962 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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