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2SC5886	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5886	High-Speed Swtching Applications High-Speed Swtching Applications DC-DC Converter Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.22 V (max) • High-speed switching: tf = 55 ns (typ.)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5886	High-Speed Swtching Applications DC-DC Converter Applications 文件：176.98 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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2SC5886A	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High switching speed time ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High-Speed Switching Applications ·DC/DC Converter Applications	ISC 无锡固电	ISC

2SC5886(T6L1NEPPNQ供应商更多...

更新时间：2026-2-9 18:21:01

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2018-12-19