型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC5886

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5886

High-SpeedSwtchingApplications

High-SpeedSwtchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) •High-speedswitching:tf=55ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Highswitchingspeedtime ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·High-SpeedSwitchingApplications ·DC/DCConverterApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

High-SpeedSwitchingApplications

High-SpeedSwitchingApplications DC/DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) •High-speedswitching:tf=95ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SiliconNPNEpitaxialTypeHigh-SpeedSwtchingApplications

文件:141 Kbytes Page:5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:PB-F VOLTAGE REGULATOR NEW PW-MO 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

包装:散装 描述:TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

2SC5886产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5886

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-7-22 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
25+
TO-252
32000
TOSHIBA/东芝全新特价2SC5886即刻询购立享优惠#长期有货
TOSHIBA/东芝
22+
TO252
8000
原装正品支持实单
TOSHIBA
0928+
TO252
730
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOS
23+
SOT252
8890
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询
SANYO/三洋
22+
TO-252
6000
十年配单,只做原装
TOSHIBA
21+
TO252
6274
原装现货假一赔十
TOSHIBA/东芝
09+PB
SOT252
766
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
TOSHIBA/东芝
23+
TO252
9800
全新原装现货,假一赔十
TOSHIBA/东芝
23+
SOT252
66600
专业芯片配单原装正品假一罚十
SANYO/三洋
22+
TO-252
25000
只做原装进口现货,专注配单

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