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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC5886

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC5886

High-SpeedSwtchingApplications

High-SpeedSwtchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) •High-speedswitching:tf=55ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC5886A

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC5886A

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Highswitchingspeedtime ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage ·Fastswitchingspeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·High-SpeedSwitchingApplications ·DC/DCConverterApplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5886A

High-SpeedSwitchingApplications

High-SpeedSwitchingApplications DC/DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.22V(max) •High-speedswitching:tf=95ns(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC5886_06

SiliconNPNEpitaxialTypeHigh-SpeedSwtchingApplications

文件：141 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
2SC5886A(T6L1,NQ)

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR） 描述：PB-F VOLTAGE REGULATOR NEW PW-MO 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5886A,L1XHQ(O

包装：散装 描述：TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5886产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC5886

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SC5886供应商更多...

更新时间：2024-6-18 9:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市正纳电子有限公司
2SC5886
TOSHIBA(东芝)
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