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位置：首页 > IC中文资料第6634页 > 2SC517

2SC517晶体管资料

  • 2SC517别名：2SC517三极管、2SC517晶体管、2SC517晶体三极管

  • 2SC517生产厂家：日本东芝公司

  • 2SC517制作材料：Si-NPN

  • 2SC517性质：射频/高频放大 （HF）_开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SC517封装形式：直插封装

  • 2SC517极限工作电压：60V

  • 2SC517最大电流允许值：2A

  • 2SC517最大工作频率：50MHZ

  • 2SC517引脚数：3

  • 2SC517最大耗散功率：4W

  • 2SC517放大倍数：

  • 2SC517图片代号：E-36

  • 2SC517vtest：60

  • 2SC517htest：50000000

  • 2SC517atest：2

  • 2SC517wtest：4.0001

  • 2SC517代换 2SC517用什么型号代替：BD137,BD167,BD177,BD235,BD439,3DA22B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC5171

NPNEPITAXIALTYPE(POWER,DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Hightransitionfrequency:fT=200MHz(typ.) •Complementaryto2SA1930

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5171

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5172

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5172

NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(SWITCHINGREGULATORANDHIGHVOLTAGESWITCHING,HIGHSPEEDDC-DCCONVERTERAPPLICATIONS)

SwitchingRegulatorandHigh-VoltageSwitchingApplications High-SpeedDC-DCConverterApplications •Excellentswitchingtimes:tr=0.5μs(max), tf=0.3μs(max)atIC=2A •Highcollectorbreakdownvoltage:VCEO=400V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5173

HIGHVOLTAGESWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS

HIGHVOLTAGESWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS COLORTVHORIZONTALDRIVERAPPLICATIONS COLORTVCHROMAOUTPURAPPLICATIONS ●HighVoltage:V(BR)CEO=300V ●SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=3.0pF(Typ.) ●Collectormetal(Fin)isfullycoveredwithmoldresin. Collector-Base

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5174

TOSHIBATRANSISTORSILICONNPNEPITAXIALTYPE

POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS DRIVERSTAGEAMPLIFIERAPPLICATIONS •HighTransitionFrequency:fT=100MHz(Typ.) •Complementaryto2SA1932

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5174

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5174

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •SiliconNPNepitaxialtype •LowCollectorSaturationVoltage •Hightransitionfrequency •Complementaryto2SA1932 •GoodLinearityofhFE •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5175

NPNEPITAXIALTYPE(HIHGCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS)

High-CurrentSwitchingApplications •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(max) (IC=2.5A,IB=125mA) •High-speedswitching:tstg=0.8µs(typ.) Collector-basevoltageVCBO60V Collector-emittervoltageVCEO50V Emitter-basevoltageVEBO5V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5176

NPNEPITAXIALTYPE(HIGHCURRENTSWITCHING,DC-DCCONVERTERAPPLICATIONS)

HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATIONS DC-DCCONVERTERAPPLICATION

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5177

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

FEATURES •LowCurrentConsumptionandHighGain |S21e|2=9.0dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Mini-Moldpackage EIAJ:SC-59

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5177

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION FEATURES •LowCurrentConsumptionandHighGain |S21e|2=9.0dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Mini-Moldpackage EIAJ:SC-59

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5178

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain |S21e|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5178

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5178R

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5178R-T1

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5178R-T2

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5178-T1

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5178-T1

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain |S21e|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5178-T2

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain |S21e|2=11.5dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=10.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •4-pinMini-Moldpackage EIAJ:SC-61

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5178-T2

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORIN4-PINMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5179

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINSMALLMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •SmallMini-Moldpackage EIAJ:SC-70

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5179

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINSMALLMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5179-T1

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINSMALLMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5179-T1

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINSMALLMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •SmallMini-Moldpackage EIAJ:SC-70

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5179-T2

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINSMALLMINI-MOLDPACKAGEFORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

FEATURES •Lowcurrentconsumptionandhighgain |S21e|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz |S21e|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •SmallMini-Moldpackage EIAJ:SC-70

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
2SC5179-T2

SILICONTRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTORINSMALLMINI-MOLDPACKAGE FORLOW-NOISEMICROWAVEAMPLIFICATION

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC5171

Complementaryto2SA1930

文件：176.74 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5171

SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage.

文件：1.038359 Mbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SC5171

TO-220FPlastic-EncapsulateTransistors

文件：1.11413 Mbytes Page：2 Pages

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU
2SC5171

SiliconNPNEpitaxialTypePowerAmplifierApplications

文件：123.15 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5171(ONK,Q,M)

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：散装 描述：TRANS NPN 180V 2A TO220NIS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC5171,MATUDQ(J

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：散装 描述：TRANS NPN 180V 2A TO220NIS 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC5171_07

SiliconNPNEpitaxialTypePowerAmplifierApplications

文件：123.15 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5171I

SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage.

文件：984.5 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SC5171S

SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage.

文件：1.029839 Mbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
2SC5172

SiliconNPNTripleDiffusedType(PCTprocess)SwitchingRegulatorandHigh-VoltageSwitchingApplications

文件：143.25 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5172

HighCollectorBreakdownVoltage:VCEO=400V

文件：184.83 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC5172_06

SiliconNPNTripleDiffusedType(PCTprocess)SwitchingRegulatorandHigh-VoltageSwitchingApplications

文件：143.25 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5173

High-VoltageSwitchingandAmplifierApplications

文件：143.92 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5173_04

High-VoltageSwitchingandAmplifierApplications

文件：143.92 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5174

PowerAmplifierApplications

文件：120.44 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5174_04

PowerAmplifierApplications

文件：120.44 Kbytes Page：3 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5175

High-CurrentSwitchingApplications

文件：129.61 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5175_04

High-CurrentSwitchingApplications

文件：129.61 Kbytes Page：4 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5176

High-CurrentSwitchingApplications

文件：151.08 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
2SC5176_04

High-CurrentSwitchingApplications

文件：151.08 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

2SC517产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC517

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-37

2SC517供应商更多...

更新时间：2025-7-31 14:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市莱克讯科技有限公司
2SC5179
NEC
1922+
SOT-323
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
询价
深圳市一线半导体有限公司
2SC5179-FB
TOSHIBA
24+
60000
询价
深圳市航润创能电子集团有限公司
2SC5179-T1
RENESAS
21+
SOT323
2590
原装现货假一赔十
询价
深圳市昊创电子有限公司
2SC518
TOSHIBA/东芝
专业铁帽
CAN3
5600
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SC518
TOSHIBA/东芝
专业铁帽
CAN3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
询价
深圳市创新迹电子有限公司
2SC5179-T1-A
NEC
22+
SOT323
25000
只有原装原装,支持BOM配单
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SC5179-T1
RENESAS
17+
SOT323
2590
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC5179
NEC
24+
NA/
24250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
2SC5179
RENESAS/瑞萨
20+
SOT-323
120000
只做原装 可免费提供样品
询价
深圳深宇韬电子科技有限公司
2SC5179-T1
RENESAS
2023+
SOT323
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价

2SC517芯片相关品牌

  • ABB
  • ARCH
  • CEL
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  • E-SWITCH
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2SC517规格书下载地址

2SC517参数引脚图相关

2SC517数据表相关新闻

  • 2SC4617G-SOT323R-R-TG_UTC代理商

    2SC4617G-SOT323R-R-TG_UTC代理商

    2023-2-15

  • 2SC5353BL-TO126CK-TG

    2SC5353BL-TO126CK-TG

    2023-1-30

  • 2SC5569G-SOT89R-TG

    2SC5569G-SOT89R-TG

    2023-1-30

  • 2SC5015-T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13

  • 2SC5299

    2SC5299，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-24

  • 2SC4617TLR

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-22

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