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2SC5179-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

FEATURES • Low current consumption and high gain |S21e|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz |S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Small Mini-Mold package EIAJ: SC-70

NEC

瑞萨

2SC5179-T1

SILICON TRANSISTOR

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

RENESAS

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2SC5179-T1

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

NEC

瑞萨

更新时间:2026-3-2 23:55:00
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RENESAS
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SOT323
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TOSHIBA/东芝
专业铁帽
CAN3
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货

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    https://hch01.114ic.com/

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  • 2SC5299

    2SC5299,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱:yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生

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