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2SC3739-L

Silicon transistor

NEC

瑞萨

HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

FEATURES ● High Gain Bandwidth Product: fT = 200 MHz MIN. ● Complementary to 2SA1464

NEC

瑞萨

NPN Silicon Epitaxia

Features ● High gain bandwidth product: fT=200MHz.

KEXIN

科信电子

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

FEATURES ● High Gain Bandwidth Product: fT = 200 MHz MIN. ● Complementary to 2SA1464

RENESAS

瑞萨

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg: -55℃ to +150℃

WINNERJOIN

永而佳

NPN Transistors

■ Features ● High Gain Bandwidth Product:fT=200MHz(min) ● Complementary to 2SA1464-HF ● Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish

KEXIN

科信电子

更新时间:2026-3-15 10:19:00
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