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2SC3649晶体管资料

  • 2SC3649别名：2SC3649三极管、2SC3649晶体管、2SC3649晶体三极管

  • 2SC3649生产厂家：日本三洋公司

  • 2SC3649制作材料：Si-NPN

  • 2SC3649性质：表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 2SC3649封装形式：直插封装

  • 2SC3649极限工作电压：180V

  • 2SC3649最大电流允许值：1.5A

  • 2SC3649最大工作频率：120MHZ

  • 2SC3649引脚数：3

  • 2SC3649最大耗散功率：

  • 2SC3649放大倍数：

  • 2SC3649图片代号：H-100

  • 2SC3649vtest：180

  • 2SC3649htest：120000000

  • 2SC3649atest：1.5

  • 2SC3649wtest：0

  • 2SC3649代换 2SC3649用什么型号代替：2SD1420,2SD1421,

2SC3649价格

参考价格：￥1.3462

型号：2SC3649S-TD-E 品牌：ON 备注：这里有2SC3649多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC3649批发/采购报价，2SC3649行情走势销售排行榜，2SC3649报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3649

High-Voltage Switching Applications

PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

SANYO

三洋

2SC3649

High speed switching transistor

[COLLMER SEMICONDUCTOR] High speed switching transistor

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SC3649

双极晶体管，160V，1.5A，低 VCE(sat)，(PNP)NPN 单 PCP

2SC3649 is a Bipolar Transistor, 160V, 1.5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for High-Voltage Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT processes\n• High breakdown voltage and large current capacity\n• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid ICs;

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649

NPN Transistors

XWSEMI

芯微半导体

2SC3649

High-Voltage Switching Applications

文件：120 Kbytes Page：5 Pages

SANYO

三洋

2SC3649

High-Voltage Switching Applications

文件：457.45 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

2SC3649S-TD-E

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649S-TD-H

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-E

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-H

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649_15

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-HF_15

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-R

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-R

丝印代码：CER；NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-R-HF

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-S

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-S

丝印代码：CES；NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-S-HF

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649S-TD-E

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649S-TD-H

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649S-TD-H

封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649-T

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-T

丝印代码：CET；NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-T-HF

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649T-TD-E

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-E

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-H

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    NPN

  • Type：

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V)：

    0.45

  • IC Cont. (A)：

    1.5

  • VCEO Min (V)：

    160

  • VCBO (V)：

    180

  • VEBO (V)：

    6

  • VBE(sat) (V)：

    0.85

  • hFE Min：

    140

  • hFE Max：

    280

  • fT Min (MHz)：

    120

  • PTM Max (W)：

    0.5

  • Package Type：

    SOT-89/PCP-1

2SC3649供应商更多...

更新时间：2026-5-15 15:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宇创芯科技有限公司
2SC3649S-TD-E
ON/安森美
24+
SOT-89
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
深圳市百诺芯科技有限公司
2SC3649
SANYO/三洋
23+
SOT-89
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
深圳诚思涵科技有限公司
2SC3649S-TD-E
原装SANYO
19+
SOT-89
20000
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SC3649S-TD-E
ONSEMI
25+
N/A
7786
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
深圳市高捷芯城科技有限公司
2SC3649T-TD-E
onsemi(安森美)
24+
SOT-89-3
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
深圳市纳立科技有限公司
2SC3649T-TD-H
三年内
1983
只做原装正品
询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司
2SC3649
SANYO
25+
SOT89
2987
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
2SC3649S-TD-E
ON/安森美
25+
SOT89
33500
全新进口原装现货,假一罚十
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SC3649T-TD-H
Onsemi
24+
SOT89
39500
进口原装现货 支持实单价优
询价
万三科技(深圳)有限公司
2SC3649S-TD-E
ON(安森美)
25+
SOT-89
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价

2SC3649芯片相关品牌

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2SC3649参数引脚图相关

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    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

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  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

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    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors

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