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位置：首页 > IC中文资料第370页 > 2SC3649

2SC3649晶体管资料

  • 2SC3649别名：2SC3649三极管、2SC3649晶体管、2SC3649晶体三极管

  • 2SC3649生产厂家：日本三洋公司

  • 2SC3649制作材料：Si-NPN

  • 2SC3649性质：表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）

  • 2SC3649封装形式：直插封装

  • 2SC3649极限工作电压：180V

  • 2SC3649最大电流允许值：1.5A

  • 2SC3649最大工作频率：120MHZ

  • 2SC3649引脚数：3

  • 2SC3649最大耗散功率：

  • 2SC3649放大倍数：

  • 2SC3649图片代号：H-100

  • 2SC3649vtest：180

  • 2SC3649htest：120000000

  • 2SC3649atest：1.5

  • 2SC3649wtest：0

  • 2SC3649代换 2SC3649用什么型号代替：2SD1420,2SD1421,

2SC3649价格

参考价格：￥1.3462

型号：2SC3649S-TD-E 品牌：ON 备注：这里有2SC3649多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC3649批发/采购报价，2SC3649行情走势销售排行榜，2SC3649报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3649

High-Voltage Switching Applications

PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

SANYO

三洋

2SC3649

High speed switching transistor

[COLLMER SEMICONDUCTOR] High speed switching transistor

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SC3649

High-Voltage Switching Applications

文件：120 Kbytes Page：5 Pages

SANYO

三洋

2SC3649

High-Voltage Switching Applications

文件：457.45 Kbytes Page：7 Pages

SANYO

三洋

2SC3649

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649

NPN Transistors

XWSEMI

芯微半导体

2SC3649

双极晶体管，160V，1.5A，低 VCE(sat)，(PNP)NPN 单 PCP

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649S-TD-E

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649S-TD-H

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-E

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-H

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649_15

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-HF_15

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-R

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-R

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-R-HF

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-S

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-S

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-S-HF

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649S-TD-E

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649S-TD-H

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649S-TD-H

封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649-T

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-T

NPN Transistors

文件：1.16139 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649-T-HF

NPN Transistors

文件：1.17211 Mbytes Page：3 Pages

KEXIN

科信电子

2SC3649T-TD-E

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-E

封装/外壳：TO-243AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649T-TD-H

Bipolar Transistor

文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC3649产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3649

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

2SC3649供应商更多...

更新时间：2025-12-25 9:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市安富世纪电子有限公司
2SC3649-TD
SANYO
23+
SOT
1000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市纳立科技有限公司
2SC3649T-TD-H
三年内
1983
只做原装正品
询价
深圳市百诺芯科技有限公司
2SC3649
SANYO/三洋
23+
SOT-89
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
现代芯城（深圳）科技有限公司
2SC3649T-TD-H
24+
N/A
76000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SC3649T-TD-E
原装
25+
SOT-89
20300
原装特价2SC3649T-TD-E即刻询购立享优惠#长期有货
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
2SC3649S-TD-E
原装SANYO
24+
SOT-89
63200
一级代理/放心采购
询价
深圳市能创芯电子科技有限公司
2SC3649T-TD-E
ON/安森美
23+
NA
9000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
深圳市凯睿晟科技有限公司
2SC3649
SANYO/三洋
21+
SOT-89
33200
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司
2SC3649S-TD-H
ON/安森美
22+
N/A
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价
深圳市众芯源半导体有限公司
2SC3649S-TD-E
ON
24+
SOT-89
12000
现货
询价

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    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

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  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

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  • 2SC3671-B,T2F(J

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors

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