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2SC3649T-TD-H中文资料

厂家型号

2SC3649T-TD-H

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7

功能描述

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity

两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

2SC3649T-TD-H数据手册规格书PDF详情

Features

• Adoption of FBET, MBIT processes

• High breakdown voltage and large current capacity

• Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

2SC3649T-TD-H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3649T-TD-H

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-9 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-89
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
Onsemi
24+
SOT89
39500
进口原装现货 支持实单价优
ONSEMI/安森美
2511
SOT-89
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
ON/安森美
20+
SOT-89
120000
原装正品 可含税交易
ON/安森美
23+
SOT-89
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1983
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SOT89
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SANYO
24+
SOT-89
51300
新进库存/原装