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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC3649S-TD-H | Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
2SC3649S-TD-H | 封装/外壳：TO-243AA 包装：散装 描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
2SC3649S-TD-H | Bipolar Transistor 文件：354.15 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
High-Voltage Switching Applications PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | | ||
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2SC3649S-TD-H产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SC3649S-TD-H
- 功能描述
两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
09+ |
SOT |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-89 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON Semi |
22+ |
NA |
15445 |
原装正品支持实单 |
|||
SANYO |
21+ |
SOT |
1000 |
原装现货假一赔十 |
|||
SANYO/三洋 |
2450+ |
SOT89 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
SANYO/三洋 |
24+ |
SOT89 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
2SC3649S-TD-H规格书下载地址
2SC3649S-TD-H参数引脚图相关
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