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Ultrahigh-DefinitionCRTDisplay,VideoOutputApplications???

Ultrahigh-DefinitionCRTDisplay,VideoOutputApplications Features •Highbreakdownvoltage:VCEO≥200V. •Smallreversetransfercapacitanceandexcellenthigh-frequnecycharacteristics:Cre=1.2pF(NPN),1.7pF(PNP),VCB=30V. •AdoptionofFBETprocess

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse

TransistorsforTVDisplayVideoOutputUse

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector–EmitterBreakdownVoltage—:V(BR)CEO=200V •ComplementtoType2SA1380 APPLICATIONS •Designedforultrahigh-definitionCRTdisplay,videooutputapplicaitons

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage.

文件:999.9 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
更新时间:2024-4-27 23:00:01
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