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2SC3360-L

Silicon transistor

NEC

瑞萨

HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD?

FEATURES ● High Voltage VCEO = 200 V ● High DC Current Gain hFE = 90 to 450 ● Complementary to 2SA1330

NEC

瑞萨

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FEATURES ● High Voltage VCEO = 200 V ● High DC Current Gain hFE = 90 to 450 ● Complementary to 2SA1330

RENESAS

瑞萨

NPN Silicon Epitaxial Transistor

■ Features ● High voltage VCEO=200V ● High DC Current Gain hFE=90 to 450 ● Complementary to 2SA1330

KEXIN

科信电子

更新时间:2025-12-27 10:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
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NEC
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