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2SC3355晶体管资料

  • 2SC3355别名：2SC3355三极管、2SC3355晶体管、2SC3355晶体三极管

  • 2SC3355生产厂家：日本日电公司

  • 2SC3355制作材料：Si-NPN

  • 2SC3355性质：超高频/特高频 （UHF）

  • 2SC3355封装形式：直插封装

  • 2SC3355极限工作电压：20V

  • 2SC3355最大电流允许值：0.1A

  • 2SC3355最大工作频率：6.5GHZ

  • 2SC3355引脚数：3

  • 2SC3355最大耗散功率：0.6W

  • 2SC3355放大倍数：

  • 2SC3355图片代号：A-21

  • 2SC3355vtest：20

  • 2SC3355htest：6500000000

  • 2SC3355atest：0.1

  • 2SC3355wtest：0.6

  • 2SC3355代换 2SC3355用什么型号代替：2SC2671,2SC3512,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3355

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz

NEC

瑞萨

2SC3355

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER FEATURES * Low Noise and High Gain * High Power Gain

UTC

友顺

2SC3355

isc Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1.0 GHz • High Power Gain MAG= 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz APPLICATIONS • Designe

ISC

无锡固电

2SC3355

Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package

Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. Features Low noise and high power gain. Applications low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications.

FOSHAN

蓝箭电子

2SC3355

NPN Silicon Epitaxial Transistor

■ ABSTRACT The 2SC3355 is a silicon epitaxial transistor in NPN configuration. This high frequency, low noise amplifier boasts a high power gain. The transistor is encased in a compact three pin durable plastic TO-92 package.

AMMSEMI

2SC3355

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz NF

RENESAS

瑞萨

2SC3355

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

文件：293.26 Kbytes Page：10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SC3355

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

文件：82.99 Kbytes Page：2 Pages

UTC

友顺

2SC3355

RF Tranasitor

UTC

友顺

2SC3355-T

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low noise and high gain NF = 1.1 dB TYP., Ga= 8.0 dB TYP. @ VCE= 10 V, IC= 7 mA, f = 1 GHz NF

RENESAS

瑞萨

2SC3355_11

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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友顺

2SC3355_15

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355G-T92-B

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355G-T92-B

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355G-T92-K

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355G-T92-K

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

文件：76.95 Kbytes Page：3 Pages

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2SC3355G-T92-R

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355L-T92-B

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355L-T92-B

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355L-T92-K

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355L-T92-K

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355L-T92-R

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355-T

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

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RENESAS

瑞萨

2SC3355-T92-B

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355-T92-K

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355-T92-R

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

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2SC3355产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3355

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SC3355供应商更多...

更新时间：2026-3-16 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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