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2SC3326晶体管资料

2SC3326别名：2SC3326三极管、2SC3326晶体管、2SC3326晶体三极管
2SC3326生产厂家：日本东芝公司
2SC3326制作材料：Si-NPN
2SC3326性质：表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）_UEB
2SC3326封装形式：贴片封装
2SC3326极限工作电压：50V
2SC3326最大电流允许值：0.3A
2SC3326最大工作频率：30MHZ
2SC3326引脚数：3
2SC3326最大耗散功率：
2SC3326放大倍数：
2SC3326图片代号：H-15
2SC3326vtest：50
2SC3326htest：30000000
2SC3326atest：0.3
2SC3326wtest：0

2SC3326代换 2SC3326用什么型号代替：2SC2411K,2SC3134,2SC3661,2SD780,2SD1328,3DG130C,

2SC3326价格

参考价格：￥0.4191

型号：2SC3326-A,LF 品牌：Toshiba 备注：这里有2SC3326多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC3326批发/采购报价，2SC3326行情走势销售排行榜，2SC3326报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SC3326	Silicon NPN Epitaxial Features ● High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). ● High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = -2 V, IC = -4 mA). ● Low on resistance: RON = 1 Ω(typ.) (IB = 5 mA). ● High DC current gain: hFE = 200~1200. ● Small package.	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3326	NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS) For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	For Muting and Switching Applications For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	For Muting and Switching Applications For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	Transistor for low frequency small-signal amplification Application Scope：Muting\nPolarity：NPN\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.3 A \nCollector-emitter voltage VCEO 20 V ;	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications 文件：512 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package 文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SC3326_V01	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326A	For Muting and Switching Applications For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326-A,LFT	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326-B	For Muting and Switching Applications For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326_07	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications 文件：512 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3326-A,LF	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ETC 知名厂家	ETC
2SC3326-B,LF	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ETC 知名厂家	ETC

2SC3326产品属性

类型
描述
Polarity：
NPN
VCEO(Max)(V)：
20
IC(Max)(A)：
0.3
hFE(Min)：
200
hFE(Max)：
1200
VCE(sat)(Max)(V)：
0.1
fT(Typ.)(MHz)：
30
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更新时间：2026-5-14 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科恒伟业电子有限公司	2SC3326-B.LF(T	TOSHIBA	2540+	SOT-23	9854	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	2SC3326	TOSHIBA/东芝	25+	SOT-23	20000	原装	询价
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