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2SC3326晶体管资料

  • 2SC3326别名：2SC3326三极管、2SC3326晶体管、2SC3326晶体三极管

  • 2SC3326生产厂家：日本东芝公司

  • 2SC3326制作材料：Si-NPN

  • 2SC3326性质：表面帖装型 （SMD）_通用型 （Uni）_UEB

  • 2SC3326封装形式：贴片封装

  • 2SC3326极限工作电压：50V

  • 2SC3326最大电流允许值：0.3A

  • 2SC3326最大工作频率：30MHZ

  • 2SC3326引脚数：3

  • 2SC3326最大耗散功率：

  • 2SC3326放大倍数：

  • 2SC3326图片代号：H-15

  • 2SC3326vtest：50

  • 2SC3326htest：30000000

  • 2SC3326atest：0.3

  • 2SC3326wtest：0

  • 2SC3326代换 2SC3326用什么型号代替：2SC2411K,2SC3134,2SC3661,2SD780,2SD1328,3DG130C,

2SC3326价格

参考价格：￥0.4191

型号：2SC3326-A,LF 品牌：Toshiba 备注：这里有2SC3326多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC3326批发/采购报价，2SC3326行情走势销售排行榜，2SC3326报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SC3326

Silicon NPN Epitaxial

Features ● High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). ● High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = -2 V, IC = -4 mA). ● Low on resistance: RON = 1 Ω(typ.) (IB = 5 mA). ● High DC current gain: hFE = 200~1200. ● Small package.

KEXIN

科信电子

2SC3326

NPN EPITAXIAL TYPE (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)

For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326

For Muting and Switching Applications

For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326

For Muting and Switching Applications

For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications

文件：512 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3326

Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package

文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SC3326

Transistor for low frequency small-signal amplification

TOSHIBA

东芝

2SC3326_V01

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326A

For Muting and Switching Applications

For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326-A,LFT

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)

For Muting and Switching Applications  AEC-Q101 Qualified (Note1).  High emitter-base voltage: VEBO = 25 V  High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2 V, IC = −4 mA)  Low on resistance: RON = 1 Ω (typ.) (IB = 5 mA)  High DC current gain: hFE = 200 to 1200  Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326-B

For Muting and Switching Applications

For Muting and Switching Applications • High emitter-base voltage: VEBO= 25 V (min) • High reverse hFE: Reverse hFE= 150 (typ.) (VCE= −2 V, IC= −4 mA) • Low on resistance: RON= 1 Ω(typ.) (IB= 5 mA) • High DC current gain: hFE= 200~1200 • Small package

TOSHIBA

东芝

2SC3326_07

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications

文件：512 Kbytes Page：5 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3326-A,LF

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC3326-B,LF

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ETC

知名厂家

2SC3326产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC3326

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    NPN EPITAXIAL TYPE(FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)

2SC3326供应商更多...

更新时间：2025-11-21 16:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SC3326-A,LF
TOSHIBA/东芝
2450+
SOT23
6540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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深圳市英科美电子有限公司
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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20000
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！
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321400
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深圳市一线半导体有限公司
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TOSHIBA
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深圳市迈锐达科技有限公司
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TOSHIBA
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2SC3326-B
TOSHIBA/东芝
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深圳市勤思达科技有限公司
2SC3326-B
TOSHIBA
24+
SOT23
5000
全新原装正品,现货销售
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    2SC3356,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

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  • 2SC380TM-O

    只做原装假一赔十

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    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Toshiba 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 系列: 2SC3671 技术: Si 商标: Toshiba 产品类型: BJTs - Bipolar Transistors 子类别: Transistors

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