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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SC3326-A,LFT | TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess) ForMutingandSwitchingApplications AEC-Q101Qualified(Note1). Highemitter-basevoltage:VEBO=25V HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) HighDCcurrentgain:hFE=200to1200 Smallpackage | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  |   |
ForMutingandSwitchingApplications ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
SiliconNPNEpitaxial Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=200~1200. ●Smallpackage. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 |  | | |
NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS) ForMutingandSwitchingApplications •Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) •HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=−2V,IC=−4mA) •Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA) •HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 •Smallpackage | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications 文件：512 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage 文件：895.19 Kbytes Page：6 Pages | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba Semiconductor and Stor |
25+ |
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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TOSHIBA |
24+/25+ |
3000 |
原装正品现货库存价优 |
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TOSHIBA/假货赔房 |
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SOT23 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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TOSHIBA |
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原装现货假一赔十 |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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进口原装,现货热卖 |
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TOSHIBA |
23+ |
SOT23 |
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TOSHIBA |
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DIP-16磁丰 |
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TOSHIBA |
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DIP-16磁丰 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
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专做原装现货 假一赔百ai |
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